نشریه علم و مهندسی سرامیک
دوره 3، شماره 1 - ( بهار 1393 )
جلد 3 شماره 1 صفحات 0-0 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
A Comparative Study of Low Voltage SnO2- and ZnO- Based Varistor Properties. Iranian Journal of Ceramic Science & Engineering 2014; 3 (1)
URL: http://ijcse.ir/article-1-197-fa.html
URL: http://ijcse.ir/article-1-197-fa.html
بهره ور محمد علی، مالکی شهرکی محمد، میرغفوریان سید محمد صادق. بررسی تطبیقی وریستور نسل جدید بر پایه اکسید قلع با وریستور بر پایه اکسید روی در کاربرد ولتاژ پایین. علم و مهندسی سرامیک. 1393; 3 (1)
1- ، mabahrevar@gmail.com
چکیده: (6498 مشاهده)
: در این تحقیق برای اولین بار، افزودن اکسید مس به سیستم وریستور اکسید قلع دوپ شده با کبالت، کروم و نئوبیوم برای کاربرد ولتاژ پایین بررسی و با وریستور تجاری بر پایه اکسید روی مقایسه شد. الگوی پراش اشعه ایکس و تصاویر میکروسکوپ الکترونی در وریستور اکسید قلع نشان داد که وریستور اکسید قلع تکفاز است و اندازه دانه متوسط در آن 10 میکرومتر است در حالیکه وریستور اکسید روی چند فازی بوده و شامل اکسید روی، تیتانات روی و فاز غنی از بیسموت است و اندازه دانه متوسط آن 14 میکرومتر است. ولتاژ شکست، ضریب غیرخطی و جریان نشتی وریستور اکسید قلع به ترتیب برابر با 9/0 کیلو ولت بر سانتی متر، 35 و 7 میکرو آمپر است که نسبت به ضریب غیرخطی 24 و جریان نشتی 30 میکروآمپر در وریستور اکسید روی برای کاربرد ولتاژ پایین برتر است. مطالعه تطبیقی پدیده تباهی در این دو وریستور بیانگر عدم تباهی در وریستور اکسید قلع می‌باشد.
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
سراميک‌هاي زیستی (بیوسرامیک‌ها)
دریافت: 1393/6/4 | پذیرش: 1393/6/4
دریافت: 1393/6/4 | پذیرش: 1393/6/4
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |