دوره 15، شماره 2 - ( مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران - جلد 15 شماره 2 1397 )
جلد 15 شماره 2 صفحات 7-1 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
bajelan F, yazdanpanah A, faez R, darvish G. Investigation Performance of p-type Junctionless Field Effect Transistors with InGaP, InP and Si Channel Materials. Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers 2018; 15 (2) :1-7
URL: http://jiaeee.com/article-1-638-fa.html
URL: http://jiaeee.com/article-1-638-fa.html
باجلان فرشاد، یزدان پناه گوهرریزی آرش، فائز رحیم، درویش غفار. بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوعP با مواد کانالSi ,InP, InGaP. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران. 1397; 15 (2) :1-7
دانشکده فنی- دانشگاه آزاداسلامی واحد علوم و تحقیقات-تهران
چکیده: (4526 مشاهده)
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی، عملکرد ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد InGaP، InP و Si مورد بررسی قرار گرفته است. گیت ترانزیستورها از نوع تمام اطراف گیت (GAA) انتخاب شده است. پارامترهایی چون دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان حالت روشن به خاموش در این ادوات مورد بررسی قرار گرفته است. مشکل اصلی ترانزیستورهای بدون پیوند، جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه میباشد. با انتخاب مواد با شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا در باند ظرفیت میتوان جریان حالت خاموش را کاهش داد، بدون اینکه جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا کند. از این رو ترانزیستور بدون پیوند با کانال InGaP دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه است. برای این ترانزیستور مقادیر دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش در طول گیت 10 نانومتر به ترتیب برابر است باmV/V14، mV/dec1/61،A15-10×26/2،A6-10×94/5 و109×62/2.
واژه‌های کلیدی: ترانزیستورهای بدون پیوند، دیبل، شیب زیر آستانه، جریان خاموشی، نسبت جریان روشنی به خاموشی
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC 4.0) قابل بازنشر است. |
